[发明专利]一种鳍式场效应管及其形成方法

摘要

本发明提供了一种鳍式场效应管及其形成方法，属于半导体集成电路制造技术领域，利用半导体基体上鳍形结构上下层的宽度差异实现，当鳍形结构的上下层的宽度差异足够大时，可以使鳍形结构的底部被完全氧化，而保留鳍形结构的扩大部，然后在半导体基体上形成氧化层，从而实现了鳍形结构的底部形成了具有一致性的抗穿通层，摒弃了现有技术中采用离子注入的方式在鳍底部形成抗穿通层的方法，优化了FinFET器件性能，同时可与现有工艺具有良好的兼容性。

主权项

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体基体，并对所述半导体基体进行图案化刻蚀，以形成具有鳍形结构的半导体基体；步骤S02：在具有鳍形结构的半导体基体上依次形成氧化物层以及氮化物层；步骤S03：对所述氮化物层进行磨平，并暴露出所述鳍形结构的顶部；步骤S04：去除鳍形结构两侧的氧化物层，并对暴露出部分侧壁的鳍形结构进行外延生长；步骤S05：去除氮化物层以及氧化物层，同时暴露出鳍形结构；其中，所述鳍形结构具有扩大部和底部，且所述扩大部的宽度大于所述底部的宽度；步骤S06：对半导体基体进行氧化处理，同时使所述鳍形结构的底部完全被氧化；步骤S07：在半导体基体上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述鳍形结构的扩大部；步骤S08：对所述氧化层进行刻蚀，直至暴露出所述鳍形结构的部分侧壁，最后在垂直于鳍形结构的方向上形成栅极。