[发明专利]一种ZnO单晶纳米片的生长方法有效
| 申请号： | 201510488904.8 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105002555B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 方国家;李博睿 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/16;C30B29/64;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延，在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的ZnO单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔斯沉积有利于ZnO在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度和退火温度，能够改变ZnO的择优生长方向，使得ZnO优先于面内生长，改变传统ZnO [001]方向择优生长的性质，不再生长成柱状ZnO，而生长出ZnO平面结构，有利于与传统的集成电路工艺整合和兼容。而且该方法生长出的ZnO纳米片和衬底结合力弱，易于转移到其他衬底上进行半导体纳米器件的加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO单晶纳米片的生长方法，其特征在于，以范德瓦尔斯力作用的层状材料为衬底，以ZnO为靶材，通过脉冲激光沉积方法来制备ZnO单晶纳米片，脉冲激光沉积中，沉积温度为350℃~550℃，脉冲激光沉积真空室中气压低于10‑3 Pa，所述的衬底为氟金云母、云母或石墨烯。
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