[发明专利]包含嵌段共聚物的自组装结构和膜以及通过旋涂法制备它们的方法(IVa)

摘要

公开了由嵌段共聚物例如式(I)的二嵌段共聚物制备的自组装结构：其中，R¹‑R⁴、n和m如本文中所述，所述自组装结构应用于制备纳米多孔膜。在一个实施方式中，嵌段共聚物自组装成圆柱形形态。还公开了一种制备这类自组装结构的方法，包括旋涂含有嵌段共聚物的聚合物溶液，以获得薄膜，随后使薄膜溶剂退火。进一步公开了一种由自组装结构制备多孔膜的方法。

主权项

用于制备包含式(I)或(II)的嵌段共聚物的自组装结构的方法：其中：R¹是式‑(CHR‑CH₂‑O)_p‑R’的聚(氧化烯)基团，其中p＝2‑6，R是H或甲基，以及R’是H、C₁‑C₆烷基或者C₃‑C₁₁环烷基；R²是C₆‑C₂₀芳基或是杂芳基，任选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基取代；R³和R⁴之一是C₆‑C₁₄芳基，任选地被选自羟基、卤素、氨基和硝基的取代基取代，以及R³和R⁴的另一个是C₁‑C₂₂烷氧基，任选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基和杂环基的取代基取代；n和m独立地是10至2000；0<x≤n以及0<y≤m，其中所述嵌段共聚物中带有R²的单体的体积分数与带有R¹的单体的体积分数之比是2.3至5.6:1；所述方法包括：(i)将嵌段共聚物溶于溶剂体系中，以获得聚合物溶液；(ii)将聚合物溶液旋涂到基材上；(iii)将在(ii)中获得的涂层退火，以获得自组装结构；以及任选地，(iv)洗涤在(iii)中获得的自组装结构。