[发明专利]光耦合装置以及绝缘装置有效
| 申请号： | 201510489230.3 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105938829B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 钉山裕太 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，提供一种光耦合装置，具备：发光元件，发出光信号；第一半导体元件，驱动上述发光元件；第二半导体元件，对上述光信号进行受光而转换成电信号；凝胶状的第一硅酮部，覆盖上述第一半导体元件的侧面以及上面；凝胶状的第二硅酮部，与上述第一硅酮部隔离地配置，覆盖上述第二半导体元件的侧面以及上面；凝胶状的第三硅酮部，与上述第一硅酮部以及上述第二硅酮部隔离地配置，覆盖与上述第二半导体元件对置的发光元件的侧面以及上面；第一树脂部，覆盖上述第一硅酮部、上述第二硅酮部以及上述第三硅酮部的周围；以及第二树脂部，覆盖上述第一树脂部的周围。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 装置 以及 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种光耦合装置，具备：发光元件，发出光信号；第一半导体元件，驱动上述发光元件；第二半导体元件，对上述光信号进行受光而转换成电信号；凝胶状的第一硅酮部，覆盖上述第一半导体元件的侧面以及上面；凝胶状的第二硅酮部，与上述第一硅酮部隔离地配置，覆盖上述第二半导体元件的侧面以及上面；凝胶状的第三硅酮部，与上述第一硅酮部以及上述第二硅酮部隔离地配置，覆盖与上述第二半导体元件对置的发光元件的侧面以及上面；第一树脂部，覆盖上述第一硅酮部、上述第二硅酮部以及上述第三硅酮部的周围；以及第二树脂部，覆盖上述第一树脂部的周围，上述第一半导体元件具有：第一基准电压生成电路，生成第一基准电压；A/D转换器，基于上述第一基准电压将输入电压转换成数字信号；以及调制器，基于上述数字信号生成与上述光信号同步的调制信号，上述第二半导体元件具有：光电转换器，对上述光信号进行受光，并转换成上述电信号；解调器，对上述电信号进行解调；第二基准电压生成电路，生成第二基准电压；以及D/A转换器，基于上述第二基准电压，对上述解调器解调后的信号进行D/A转换，上述第一硅酮部以及上述第二硅酮部的厚度相同、且为100μm以上。
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