[发明专利]硫化镉气相合成装置有效
| 申请号： | 201510489364.5 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105060336B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 曹昌威;詹科;张程;种娜;杨旭;雷聪 | 申请（专利权）人： | 峨嵋半导体材料研究所 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 房云 |
| 地址： | 614200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硫化镉气相合成装置，所述硫化镉气相合成装置包括彼此连通的镉蒸发管、硫蒸发管和合成管，所述镉蒸发管的出料口和硫蒸发管的出料口分别与合成管的进料口连接，并且气态镉从镉蒸发管进入合成管的方向与气态硫从硫蒸发管进入合成管的方向之间的夹角为0～90°。本发明的硫化镉气相合成装置反应装置具体使得气态硫和气态镉不采用相对的方向进入合成室，从而避免了两股反应气之间的对流并避免了因反应气之间接触不充分而导致的反应不充分、合成率低的问题。本发明通过在合成室中增加挡板组件，使得合成室空间得到了有效减小，同时使得反应相对充分，大大提高了合成率，可达到85～90％。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化 相合 装置 | ||
【主权项】：
一种硫化镉气相合成装置，其特征在于，所述硫化镉气相合成装置包括彼此连通的镉蒸发管、硫蒸发管和合成管，所述镉蒸发管的出料口和硫蒸发管的出料口分别与合成管的进料口连接，并且气态镉从镉蒸发管进入合成管的方向与气态硫从硫蒸发管进入合成管的方向之间的夹角大于0°且小于或等于90°，其中，所述合成管中设置有用于改变气态镉与气态硫的移动路径的挡板组件，所述挡板组件包括挡板固定杆和多块挡板，所述挡板固定杆沿着合成管的长度方向固定在合成管中，所述多块挡板间隔地设置在挡板固定杆上并且所述挡板与合成管的内壁之间具有间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于峨嵋半导体材料研究所，未经峨嵋半导体材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510489364.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种空心立方结构三氧化钼的制备方法
- 下一篇：一种低能耗高效生产氧化锌的方法
