[发明专利]一种基片处理系统在审
申请号: | 201510489586.7 | 申请日: | 2015-08-11 |
公开(公告)号: | CN106449466A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 雷仲礼 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种基片处理系统,其包括:设备前端模组、第一真空锁、第一传输腔、第二真空锁、第二传输腔、至少一个第一处理腔和至少一个第二处理腔;其中,第一真空锁连接设备前端模组和第一传输腔;第二真空锁连接第一传输腔和第二传输腔;第一处理腔与所述第二传输腔连接;第二处理腔与第一传输腔连接;第一传输腔内设置有第一机械臂,第一机械臂用于实现基片在第一真空锁、第二真空锁以及至少一个第二处理腔之间的传送;第二传输腔内设置有第二机械臂,第二机械臂用于实现基片在第二真空锁与至少一个第一处理腔之间的传送。本发明提供的基片处理系统提高了基片的处理效率,进而提高了器件的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种基片处理系统,其特征在于,包括:设备前端模组、第一真空锁、第一传输腔、第二真空锁、第二传输腔、至少一个第一处理腔和至少一个第二处理腔;其中,所述第一真空锁连接所述设备前端模组和所述第一传输腔;所述第二真空锁连接所述第一传输腔和所述第二传输腔;所述至少一个第一处理腔与所述第二传输腔连接;每个所述第一处理腔均具有第一端口,所述第一端口用于在所述第一处理腔和所述第二传输腔之间传送基片;所述至少一个第二处理腔与所述第一传输腔连接;每个所述第二处理腔均具有第二端口,所述第二端口用于在所述第二处理腔和所述第一传输腔之间传送基片;所述第一传输腔内设置有第一机械臂,所述第一机械臂用于实现基片在所述第一真空锁、所述第二真空锁以及所述至少一个第二处理腔之间的传送;所述第二传输腔内设置有第二机械臂,所述第二机械臂用于实现基片在所述第二真空锁与所述至少一个第一处理腔之间的传送。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510489586.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种存储器芯片上测试单个比特的方法
- 下一篇:管口指标装置及基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造