[发明专利]CMOS图像传感器结构及形成方法

摘要

本发明提供了一种CMOS图像传感器结构及形成方法。绝缘体上硅CMOS图像传感器结构包括：从下至上依次为晶圆背面吸杂层、作为支撑层的硅基底层、作为绝缘层的掩埋氧化物层、作为有源层的硅顶层、层间电介质和金属互连层；在硅顶层中形成器件单元和像素单元；像素单元中形成有光电二极管，传输管、复位管和源跟随管。其中，在所述硅顶层和层间电介质中形成有用于吸收杂质的附加吸杂结构，所述附加吸杂结构包围像素单元，所述吸杂结构能有效吸收硅顶层中的杂质，降低暗电流，提高图像质量。

主权项

一种以绝缘体上硅为衬底材料的CMOS图像传感器结构，其特征在于包括：从下至上依次布置的吸杂层、作为支撑层的硅基底层、作为绝缘层的掩埋氧化物层、作为有源层的硅顶层、层间电介质和氧化物覆盖层；在硅顶层中形成有像素单元；像素单元中形成有光电二极管，而且传输管和源跟随管布置在光电二极管的一侧；而且在硅顶层中，传输管和源跟随管之间布置有第一接触区，源跟随管相对于第一接触区的一侧布置有第二接触区；其中，在所述硅顶层和层间电介质中形成有用于吸收杂质的附加吸杂结构，所述附加吸杂结构包围像素单元。