[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510490074.2 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105374825B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李起洪;皮昇浩;白知娟 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/06;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/223;H01L21/285;H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，可以包括第一源极层、位于第一源极层之上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层之上的第一堆叠结构。半导体器件可以包括穿过第一堆叠结构和第一绝缘层的第一沟道层。半导体器件可以包括第二源极层，第二源极层包括插入在第一源极层和第一绝缘层之间的第一区域以及插入在第一沟道层和第一绝缘层之间的第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一源极层；第一绝缘层，位于第一源极层之上；第一堆叠结构，位于第一绝缘层之上；第一沟道层，穿过第一堆叠结构和第一绝缘层；以及第二源极层，包括设置在第一源极层和第一绝缘层之间的第一区域以及设置在第一沟道层和第一绝缘层之间的第二区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
