[发明专利]磁增强反应离子蚀刻下的硬掩膜侧壁粗糙度改进方法在审
| 申请号： | 201510490465.4 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105140116A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁增强反应离子蚀刻下的硬掩膜侧壁粗糙度改进方法，包括：沉积氧化物硬掩膜层；在所述氧化物硬掩膜层上布置抗反射涂层；在所述抗反射涂层上布置光刻胶并且使得光刻胶图案化，随后在抗反射层的刻蚀过程中使图案化的光刻胶和抗反射涂层的侧壁上布置聚合物薄膜；利用图案化的光刻胶对氧化物硬掩膜层进行干法软刻蚀；执行灰化处理以及湿法刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 反应 离子 蚀刻 硬掩膜 侧壁 粗糙 改进 方法 | ||
【主权项】：
一种磁增强反应离子蚀刻下的硬掩膜侧壁粗糙度改进方法，其特征在于包括：第一步骤：沉积氧化物硬掩膜层；第二步骤：在所述氧化物硬掩膜层上布置抗反射涂层；第三步骤：在所述抗反射涂层上布置光刻胶并且使得光刻胶图案化，随后在抗反射层的刻蚀过程中使图案化的光刻胶和抗反射涂层的侧壁上布置聚合物薄膜；第四步骤：利用图案化的光刻胶对氧化物硬掩膜层进行干法软刻蚀；第五步骤：执行灰化处理，以及利用软刻蚀后的氧化物硬掩膜层执行湿法刻蚀。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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