[发明专利]一种基于碳基复合电极的高温SiCJFET器件有效
| 申请号： | 201510490789.8 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN105070767B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张艺蒙;唐美艳;宋庆文;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/43;H01L29/417 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件，包括N+衬底、N‑漂移区、N沟道区、P+栅区、N+源区、由第一碳基材料层与第一金属层、第二金属层复合构成的源电极、由第三碳基材料层与第三金属层、第四金属层复合构成的漏电极、由第二碳基材料层与第五金属层、第六金属层复合构成的栅电极，N‑漂移区的厚度为9.5μm，宽度为7μm，掺杂浓度为6.5×1015cm‑3；N沟道区的深度为2.1μm，宽度为1.6μm，掺杂浓度为6.5×1015cm‑3；P+栅区掺杂浓度为1×1018cm‑3；N+衬底掺杂浓度为6×1018cm‑3；N+源区掺杂浓度为2×1018cm‑3。本发明一方面具有良好的热稳定性和导电特性，另一方面可以有效的改善散热，降低器件结温，使器件在高温下仍然可以稳定可靠的工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 电极 高温 sic jfet 器件 | ||
【主权项】：
一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件，其特征在于，包括N+衬底(11)、N‑漂移区(10)、N沟道区(5)、P+栅区(9)、N+源区(4)、由第一碳基材料层(2)与第一金属层(1)、第二金属层(3)复合构成的源电极、由第三碳基材料层(13)与第三金属层(12)、第四金属层(14)复合构成的漏电极、由第二碳基材料层(7)与第五金属层(6)、第六金属层(8)复合构成的栅电极；其中，所述的第一碳基材料层(2)、第二碳基材料层(7)和第三碳基材料层(13)为石墨薄膜。
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