[发明专利]一种掩模板及在同一硅片上加工多种深度结构的方法

摘要

本发明公开了一种掩模板以及在同一硅片上加工多种深度结构的方法，所述掩模板为：在掩模板上设有到掩模板的中心的距离不相等的第一对准标记和第二对准标记；第一对准标记包括第一基准标记和第一对位标记，第一对位标记在掩模板旋转90°后能与第一基准标记在前次光刻留在硅片上的基准图案对准；第二对准标记包括第二基准标记和第二对位标记，第二对位标记在掩模板旋转90°后能与第二基准标记在前次光刻留在硅片上的基准图案对准；第一对位标记和第二对位标记分布在第一方向上的两侧，第一基准标记和第二基准标记分布在第二方向上的两侧，第一方向与第二方向沿掩模板中心且垂直。本发明在同一张硅片上仅使用一张掩模板就可以加工出多种深度结构。

主权项

1.一种利用掩膜板在同一硅片上加工多种深度结构的方法，其特征在于，在所述掩模板上设有到所述掩模板的中心的距离不相等的第一对准标记和第二对准标记，所述第一对准标记包括第一基准标记(2)和第一对位标记(1)，所述第二对准标记包括第二基准标记(4)和第二对位标记(3)，所述第一对位标记(1)在所述掩模板旋转90°后能与所述第一基准标记(2)在前一次光刻时留在硅片上的基准图案对准；所述第二对位标记(3)在所述掩模板旋转90°后能与所述第二基准标记(4)在前一次光刻时留在硅片上的基准图案对准；所述第一对位标记(1)和第二对位标记(3)分布在沿着所述掩模板中心的第一方向上且在所述掩模板的中心的两侧，所述第一基准标记(2)和第二基准标记(4)分布在沿着所述掩模板中心的第二方向上且在所述掩模板的中心的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直；所述方法包括如下步骤：(1)在所述硅片上旋涂光刻胶；(2)将所述掩模板与所述硅片对齐，进行第一次曝光、显影和刻蚀，加工得到第一深度结构，同时所述掩模板上的所述第一基准标记(2)、第一对位标记(1)，第二基准标记(4)和第二对位标记(3)分别在所述硅片上形成第一基准图案(6)、第一对位图案(5)、第二基准图案(8)和第二对位图案(7)；(3)保持所述硅片不动，将所述掩模板顺时针旋转90°，所述第一对位标记(1)与所述第一基准图案(6)对准，所述第二对位标记(3)与所述第二基准图案(8)对准，进行第二次曝光、显影和刻蚀，加工得到第二深度结构，同时所述第一基准标记(2)和所述第二基准标记(4)分别在所述硅片上形成第三基准图案(10)和第四基准图案(9)；(4)去胶，在所述硅片上得到多种深度结构。