[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510493003.8 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106449404B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：在所述鳍部暴露出的侧壁和顶部表面形成半导体层，所述半导体层内掺杂有P型离子；在所述鳍部内掺杂阈值电压调节离子；在所述半导体层内掺杂P型离子、并在鳍部内掺杂阈值电压调节离子之后，进行退火工艺。以所形成的半导体结构形成P型鳍式场效应晶体管时，所述P型鳍式场效应晶体管的负偏压温度不稳定性效应得到抑制、性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于基底表面的鳍部、以及位于基底表面的隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面；在所述鳍部暴露出的侧壁和顶部表面形成半导体层，所述半导体层内掺杂有P型离子；在所述鳍部内掺杂阈值电压调节离子，所述阈值电压调节离子包括N型离子；在所述半导体层内掺杂P型离子、并在鳍部内掺杂阈值电压调节离子之后，进行退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
