[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510493286.6 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106449405B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有阱区，阱区内具有第一类型离子；采用第一防穿通注入工艺在阱区内注入第一类型离子，第一防穿通注入工艺的注入深度小于阱区底部到衬底顶部表面的距离，在阱区内形成防穿通区；采用第二防穿通注入工艺在阱区内注入碳离子，在阱区内形成碳掺杂区，碳离子的掺杂浓度大于防穿通区内的第一类型离子掺杂浓度，碳掺杂区包围防穿通区；采用第三防穿通注入工艺在阱区内注入氮离子，第三防穿通注入的深度、小于第一防穿通注入和第二防穿通注入的深度，在阱区内形成氮掺杂区，氮掺杂区位于防穿通区与衬底顶部表面之间。所述半导体结构的形成方法能够改善半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区内具有第一类型离子；采用第一防穿通注入工艺在所述阱区内注入第一类型离子，所述第一防穿通注入工艺的注入深度小于所述阱区底部到衬底顶部表面的距离，在所述阱区内形成防穿通区；采用第二防穿通注入工艺在所述阱区内注入碳离子，在所述阱区内形成碳掺杂区，所述碳离子的掺杂浓度大于所述防穿通区内的第一类型离子掺杂浓度，所述碳掺杂区包围所述防穿通区；采用第三防穿通注入工艺在所述阱区内注入氮离子，所述第三防穿通注入的深度、小于所述第一防穿通注入和第二防穿通注入的深度，在所述阱区内形成氮掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510493286.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
