[发明专利]一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510493827.5 申请日: 2015-08-13
公开(公告)号: CN105118815B 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 吴伟伟;赵涌;刘米丰;谢慧琴;丁蕾;王立春 申请(专利权)人: 上海航天电子通讯设备研究所
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/31;H01L21/60
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司31236 代理人: 胡晶
地址: 200082 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构及其制备方法,该结构包括至少两层功能化铝基板,其包括铝通柱,铝半通柱,接地铝柱,芯片埋置腔,埋铝接地层以及埋铝互连线;埋置芯片,埋置于功能化铝基板的芯片埋置腔内;薄膜互连线,两端分别连接埋置芯片和铝半通柱;金属间化合物垂直互连线,两端分别连接相邻两层功能化铝基板的铝通柱;介质层,设置于功能化铝基板的表面。该方法包括功能化铝基板的制备;埋置芯片的贴装;薄膜互连线的制备;介质层的制备;金属间化合物的沉积;三维堆叠垂直互连。本发明提高了封装效率和互连密度,采用金属间化合物垂直互连达到“低温制备,高温使用”的效果。
搜索关键词: 一种 基于 铝基板 三维 封装 垂直 互连 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构,其特征在于,包括:至少两层功能化铝基板,包括:铝通柱,铝半通柱,接地铝柱,芯片埋置腔,埋铝接地层以及埋铝互连线,其中:所述芯片埋置腔设置在所述功能化铝基板的一面,为内凹结构;所述埋铝接地层的一面连接所述芯片埋置腔的下端,另一面连接所述接地铝柱;所述铝通柱贯通所述功能化铝基板的两表面,所述铝半通柱贯通所述功能化铝基板的设置有芯片埋置腔的一面;所述埋铝互连线的两端分别连接所述铝通柱和所述铝半通柱;埋置芯片,埋置于所述功能化铝基板的所述芯片埋置腔内;薄膜互连线,两端分别连接所述埋置芯片和所述铝半通柱;介质层,设置于所述功能化铝基板的表面,其包括铝通柱介质层通孔,所述铝通柱介质层通孔贯通所述介质层的两表面;金属间化合物垂直互连线,位于所述铝通柱介质层通孔内,用于连接相邻两层所述功能化铝基板的所述铝通柱。
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