[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法

摘要

一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤(1)沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面残留的光刻胶；(2)在p型GaN层与n型GaN层的外表面上生长电流阻断层；(3)在电流阻断层上刻出所需的图形，保留p型GaN层上表面的电流阻断层和P/N结侧壁上的电流阻断层；(4)在p型GaN层表面沉积ITO透明导电膜；(5)分别在ITO透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极；(6)制备钝化层，通过光刻露出金属电极。该方法保留了p型GaN层上表面及P/N结侧壁上的电流阻断层，阻挡了后续ITO透明导电膜与金属电极的接触，避免了P/N结上残留ITO或金属，不会造成漏电。

主权项

一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在GaN基外延片的p型GaN层的上表面涂正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出所需台面结构的图形；根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n 型GaN层刻蚀出台面结构，在n 型GaN层上制备出台面，同时去除表面残留的光刻胶；（2）在p型GaN层与n型GaN层的外表面上生长一层厚度为500‑1500埃的电流阻断层；（3）在电流阻断层上通过光刻蚀刻出所需的图形，保留p型GaN层上表面的电流阻断层和P/N结侧壁上的电流阻断层；（4）在p型GaN层表面沉积一层厚度1000－3000埃的ITO透明导电膜，作为电流扩展层；并通过光刻，将n型GaN层及预镀金属电极处开一孔洞穿过电流阻挡层，使金属电极与p型GaN层之间设有附著界面；（5）制备金属电极，分别在ITO透明导电膜和n 型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得GaN基发光二极管芯片；（6）制备钝化层，通过光刻露出金属电极；所述干法刻蚀为ICP刻蚀，刻蚀过程包括两步，第一步采用Cl2和BCl3为刻蚀气体，刻蚀p型GaN层至量子阱层，第二步刻蚀量子阱层至n型GaN层。