[发明专利]车辆燃油温度控制装置

摘要

本发明是一种车辆燃油温度控制装置，它包括外侧带有散热片、内侧带有半导体制冷制热元件容置空间的散热模块，一侧将半导体制冷制热元件封闭在半导体制冷制热元件容置空间内、另一侧带有循环油道的热交换模块，一侧用于封闭循环油道侧面、另一侧带有电路板容置空间的电控模块以及用于将电路板封装在电路板容置空间内的盖板。能够将油温始终控制在燃油最佳做功温度范围之内，确保了燃油能够顺畅地流动和燃烧做功，进而确保了发动机正常启动和运转；同时，降低了车辆油耗，有效保护了发动机油路，延长了发动机使用寿命。

主权项

一种车辆燃油温度控制装置，其特征在于：它包括外侧带有散热片（1‑1）、内侧带有半导体制冷制热元件容置空间（1‑2）的散热模块（1），一侧将半导体制冷制热元件（7）封闭在半导体制冷制热元件容置空间（1‑2）内、另一侧带有循环油道（2‑1）的热交换模块（2），一侧用于封闭循环油道（2‑1）侧面、另一侧带有电路板容置空间（3‑1）的电控模块（3）以及用于将电路板封装在电路板容置空间（3‑1）内的盖板（4）；所述的热交换模块（2）带有两个进出油接头（2‑3），两个进出油接头（2‑3）分别与所述循环油道（2‑1）的两个端部相连接；热交换模块（2）上还开设有热交换模块走线孔（2‑2）；热交换模块走线孔（2‑2）的开设位置避开循环油道（2‑1）；电控模块（3）上还开设有电控模块走线孔（3‑2）；设置在电路板容置空间（3‑1）中的电路板的引线依次穿过电控模块走线孔（3‑2）和热交换模块走线孔（2‑2）并与所述半导体制冷制热元件（7）相连接；所述的电路板包括冷热驱动电路、程序控制电路和油温检测电路；所述的油温检测电路分别连接有油温传感器并与程序控制电路针对MCU相连接；所述的油温传感器设置于循环油道（2‑1）中；冷热驱动电路包括MOSFET器件Q3、MOSFET器件Q4、MOSFET器件Q13和MOSFET器件Q14；（1）、MOSFET器件Q3和MOSFET器件Q14及外围元件构成制热驱动电路；其中MOSFET器件Q3及外围元件构成制热上驱动臂电路，MOSFET器件Q14及外围元件构成制热下驱动臂电路；A、制热上驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D5、三极管Q8、电阻R9、电阻R11和电阻R1构成，用于防止高电压；信号进入低电压电路、将输入的低压命令信号进行转换为高压的驱动信号；其中二极管D5接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q2、三极管Q6，电阻R5、电阻R8和二极管D3构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q3、稳压二极管DZ2、电阻R2和电阻R32构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ2起过压保护作用，用于防止MOSFET因电压过高而损坏；电阻R2为上拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；B、制热下驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D12、三极管Q17、三极管Q10、电阻R26、电阻R28、电阻R16、电阻R14和电阻R24构成，用于防止高电压信号进入低电压电路并将输入的低压命令信号进行转换为高压驱动信号；其中二极管D12接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q9、三极管Q15，电阻R20、电阻R19和二极管D8构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q14、稳压二极管DZ3、电阻R23和电阻R33构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ3起过压保护，防止MOSFET因电压过高而损坏；R23为下拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；电阻R33与所述的电阻R32一起用于输出平衡；（2）、MOSFET器件Q4和MOSFET器件Q13及外围元件构成制冷驱动电路；其中MOSFET器件Q4及外围元件构成制冷上驱动臂电路，MOSFET器件Q13及外围元件构成制冷下驱动臂电路；A、制冷上驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D6、三极管Q7、电阻R10、电阻R12和电阻R4构成，用于防止高电压信号进入低电压电路、将输入的低压命令信号进行转换为高压的驱动信号；其中二极管D6接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q1、三极管Q5，电阻R7、电阻R6和二极管D34构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q4、稳压二极管DZ1、电阻R3和电阻R33构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ1起过压保护，防止MOSFET因电压过高而损坏；R23为上拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；B、制冷下驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D11、三极管Q18、三极管Q11、电阻R25、电阻R27、电阻R15、电阻R13和电阻R21构成，用于防止高电压信号进入低电压电路并将输入的低压命令信号进行转换为高压驱动信号；其中二极管D11接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q12、三极管Q16，电阻R17、电阻R18和二极管D7构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q13、稳压二极管DZ4、电阻R22和电阻R32构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ4起过压保护，防止MOSFET因电压过高而损坏；R22为下拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；R32与所述的R33一起用于输出平衡。