[发明专利]毫米级立方氮化硼大单晶的合成方法有效
申请号: | 201510495464.9 | 申请日: | 2015-08-13 |
公开(公告)号: | CN105080429B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 张相法;贾攀;张奎;位星;刘红伟 | 申请(专利权)人: | 郑州中南杰特超硬材料有限公司 |
主分类号: | B01J3/06 | 分类号: | B01J3/06;C30B1/12;C30B29/40 |
代理公司: | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙)41117 | 代理人: | 杨妙琴 |
地址: | 450001 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明属于立方氮化硼合成技术领域,尤其涉及一种毫米级立方氮化硼大单晶的合成方法。其主要特点是选择含量为BN≥99.5%、B2O3≤0.2%的高纯度HBN原料,并与三元触媒Li3BN2或Mg3B2N4或Ca3B2N4粉末和二元触媒Li3N粉末以及单质金属Mg或Al粉末的混合,并按照所述的工艺方法合成出毫米级立方氮化硼大单晶。按照本发明方法合成出的立方氮化硼,晶体粒度达到了18目,其中16~30目所占比例达到50~70%,晶型较完整,工艺稳定具有生产价值。 | ||
搜索关键词: | 毫米 立方 氮化 硼大单晶 合成 方法 | ||
【主权项】:
一种毫米级立方氮化硼大单晶的合成方法,其特征在于:包括如下步骤:第一步,将三元触媒Li3BN2或Mg3B2N4或Ca3B2N4粉末和二元触媒Li3N粉末以及单质金属Mg或Al粉末的混合物做为复合触媒,并与含量为BN≥99.5%、B2O3≤0.2%的高纯度HBN原料,按三元触媒:Li3N:Mg或Al:HBN=8~15:5~10:1~4:100的质量比例分别取料,均匀混合后压制成圆柱;第二步,将上述步骤中压制的圆柱体装入石墨加热管中组装成合成棒,再装入叶腊石组装块中做成合成块;第三步,将合成块装入六面顶压机的高压腔中,加压至35MPa开始加热,到40~50MPa,温度加热至1300~1600℃,保持5~10min,控制立方氮化硼晶体成核,继续升压到合成压力80MPa,保压50~120min,在此保压过程中由PLC控制压力均匀缓升至100~105MPa,保压结束后停止加热,等待3min后卸压;第四步,将得到的高温高压合成物取出,经过破碎、注水浸泡、常规酸碱处理得到立方氮化硼晶体;第五步,将得到的立方氮化硼晶体用筛机筛分,即可得到各个粒度的立方氮化硼成品。
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