[发明专利]一种碳纳米管薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510495655.5 申请日: 2015-08-13
公开(公告)号: CN105084342A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 施勇 申请(专利权)人: 海门市明阳实业有限公司
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226141 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种碳纳米管薄膜的制备方法,属于纳米材料制备领域,在分散的单壁碳纳米管溶液中,加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质,并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层,最后以酸化消除介质的方式分离、提纯单壁碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜。利用本发明方法制备纯的半导体性碳纳米管薄膜,无需任何特殊装置和繁杂工序,制备过程简便、实用,而且低成本,有利于实现大面积碳纳米管薄膜的制备,促进半导体性碳纳米管薄膜在诸多领域的应用。
搜索关键词: 一种 纳米 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种碳纳米管薄膜的制备方法,其特征在于:在分散的碳纳米管溶液中,加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质,并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层,最后分离、提纯碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜;其中,具体为:I、将碳纳米管超声溶解制成碳纳米管分散液,并将碳纳米管分散液添加到吸附用容器中;II、向吸附用容器里添加吸附用介质,以浸润的方式形成介质表面的半导体性碳纳米管富集层;III、将吸附用介质和半导体性碳纳米管富集层放入添加有酸性溶液的容器中,酸化、碱化、调节PH值,溶解并去除吸附用介质,得到纯的半导体性碳纳米管薄膜。
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