[发明专利]用于操控半导体开关元件的电路布置结构和方法有效

专利信息
申请号: 201510495693.0 申请日: 2015-05-15
公开(公告)号: CN105119589B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: C·马格尔;B·施兰茨;J·赫恩德勒;A·赫格尔 申请(专利权)人: 弗罗纽斯国际有限公司
主分类号: H03K17/04 分类号: H03K17/04;H03K17/615;H03K17/687
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 邓斐
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及用于操控半导体开关元件的电路布置结构和方法。为减少半导体开关元件(1)的陡沿的控制电压问题,而提出半导体开关元件(1)的控制接线端(6)通过一斜坡产生单元(5)与半导体开关元件(1)的输出接线端(7)连接,所述斜坡产生单元(5)斜坡状展平驱动器控制电压(Vs)的陡升和陡降脉冲沿,用于在斜坡产生单元(5)的输出端上产生晶体管控制电压(VG)。
搜索关键词: 用于 操控 半导体 开关 元件 电路 布置 结构 方法
【主权项】:
用于操控半导体开关元件(1)的电路布置结构,其中,门极驱动器(3)为所述半导体开关元件(1)产生陡沿的驱动器控制电压(VS)并且该门极驱动器(3)与所述半导体开关元件(1)的控制接线端(6)连接,其中,所述半导体开关元件(1)的控制接线端(6)通过斜坡产生单元(5)与该半导体开关元件(1)的输出接线端(7)连接,所述斜坡产生单元(5)斜坡状展平所述驱动器控制电压(VS)的陡升和陡降脉冲沿,用于在斜坡产生单元(5)的输出端上产生晶体管控制电压(VG),并且所述斜坡产生单元(5)的供电通过所述门极驱动器(3)进行,其特征在于,在所述斜坡产生单元(5)中在输出侧设置有由斜坡状上升或下降的电压(VR)控制的晶体管,由此通过该晶体管流动斜坡状下降或上升的晶体管电流(I1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗罗纽斯国际有限公司,未经弗罗纽斯国际有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510495693.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top