[发明专利]包覆金膜的硅纳米锥阵列及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201510496122.9 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105197882A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘广强;赵倩;蔡伟平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 任岗生 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包覆金膜的硅纳米锥阵列及其制备方法和用途。阵列为其表面覆有金膜的硅纳米锥有序阵列，其中，组成硅纳米锥有序阵列的硅纳米锥的锥底直径为180～220nm、锥高为450～550nm、锥周期为250～350nm，金膜的厚度为15～25nm；方法为先通过气-液界面自组装技术将聚苯乙烯胶体球于硅衬底上合成单层胶体晶体模板，再将其上合成有单层胶体晶体模板的硅衬底置于六氟化硫气氛中等离子体刻蚀，得到其上置有硅纳米锥有序阵列的硅衬底后，使用离子束溅射沉积技术或热蒸发沉积技术，于其上置有硅纳米锥有序阵列的硅衬底上沉积金膜，制得目的产物。它可作为表面增强拉曼散射的活性基底，测量其上附着的盐酸克伦特罗的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 包覆金膜 纳米 阵列 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种包覆金膜的硅纳米锥阵列，包括置于硅衬底上的二维有序纳米硅阵列，其特征在于：所述二维有序纳米硅阵列为硅纳米锥有序阵列，所述硅纳米锥有序阵列的表面覆有金膜；所述组成硅纳米锥有序阵列的硅纳米锥的锥底直径为180～220nm、锥高为450～550nm、锥周期为250～350nm；所述金膜的厚度为15～25nm。
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