[发明专利]群电极电解加工阵列孔的方法有效
| 申请号： | 201510496384.5 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105014169B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 韩福柱;陈伟 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B23H3/00 | 分类号： | B23H3/00;B23H9/16 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 梁少微;王丽琴 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种群电极电解加工阵列孔的方法，该方法包括：在金属工件表面与群电极的阵列相对应的位置形成用作供液通道的预制群孔；将群电极的阵列与金属工件表面的预制群孔进行对准固定；从金属工件的底部向上提供高压电解液，通过群电极向下面的金属工件做进给运动，在金属工件表面的预制群孔位置形成与群电极的阵列截面相同的阵列孔。采用本发明能够有效解决群电极电解加工过程中的加工产物难以排除及电解液更新困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 电解 加工 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种群电极电解加工阵列孔的方法，该方法包括：在金属工件表面与群电极的阵列相对应的位置形成用作供液通道的预制群孔；将群电极的阵列与金属工件表面的预制群孔进行对准固定；从金属工件的底部向上提供高压电解液，通过群电极向下面的金属工件做进给运动，在金属工件表面的预制群孔位置形成与群电极的阵列截面相同的阵列孔。
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