[发明专利]一种消除重力影响的薄基片变形测量方法有效

专利信息
申请号: 201510496479.7 申请日: 2015-08-13
公开(公告)号: CN105066897B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 董志刚;康仁科;刘海军;高尚;朱祥龙;周平;陈修艺 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G01B11/16 分类号: G01B11/16
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 高永德;李洪福
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种消除重力影响的薄基片变形测量方法,所述薄基片由三个支撑球支撑,包括以下步骤:通过测量确定三个支撑球的位置;将待测的薄基片放置于三个支撑球上,确定薄基片的厚度和位置;将测得的三个支撑球的位置信息和薄基片的厚度、轮廓与位置信息输入至有限元分析软件中,进行重力附加变形仿真,计算重力附加变形;扫描测得薄基片的总变形,总变形减去计算的重力附加变形,得出薄基片真实变形。本发明无离子污染,不使用液体,不产生表面张力附加变形;对支撑球的位置没有要求,不要求支撑机构的装配精度;不需要额外定心机构来保证薄基片中心处于正反测量翻转轴上。
搜索关键词: 薄基片 支撑球 变形 变形测量 重力影响 变形仿真 定心机构 分析软件 离子污染 正反测量 支撑机构 翻转轴 减去 装配 测量 扫描 支撑 保证
【主权项】:
1.一种消除重力影响的薄基片变形测量方法,所述薄基片由三个支撑球支撑,其特征在于:包括以下步骤:①通过测量确定三个支撑球的位置;②将待测的薄基片放置于三个支撑球上,确定薄基片的厚度、位置和轮廓信息;③将步骤①和步骤②测得的三个支撑球的位置信息和薄基片的厚度、位置和轮廓信息输入至有限元分析软件中,进行重力附加变形仿真,计算重力附加变形;④扫描测得薄基片的总变形,总变形减去步骤③计算的重力附加变形,得出薄基片真实变形;步骤①使用光学位移传感器进行测量,将光学位移传感器固定一轴坐标,沿另一轴扫描测量支撑球轮廓,对轮廓数据进行最小二乘圆拟合,圆中心坐标即为支撑球在该移动轴方向上的中心坐标,用同样的方法测得该支撑球另一轴方向的中心坐标;用同样的方法测得另外两个支撑球的位置坐标;步骤②中薄基片的位置使用光学位移传感器进行测量,将光学位移传感器固定一轴坐标,沿另一轴扫描薄基片,从薄基片内部直至外部无读数,对测量数据进行边缘曲线和表面直线的最小二乘拟合,表面直线与边缘曲线的交点为薄基片的边缘点,对边缘点进行最小二乘拟合,得出薄基片的位置与轮廓;步骤②中薄基片的厚度使用光学位移传感器进行测量,首先测得支撑球的顶点坐标,再测量支撑球处放置薄基片后高度,放置薄基片后的高度与支撑球顶点的高度差为薄基片的厚度;在放置薄基片前,光学位移传感器固定一轴坐标,沿另一轴扫描测量支撑球轮廓,对轮廓数据进行最小二乘圆拟合,圆中心坐标为支撑球在该移动轴方向上的中心坐标,将光学位移传感器的一轴固定在中心坐标上,沿另一轴扫描测量支撑球轮廓,最小二乘圆拟合扫描轮廓,最高点为支撑球顶点;或者扫描测量两条以上的支撑球轮廓,对测量数据进行最小二乘球拟合,得到支撑球顶点坐标;然后测量支撑球处放置薄基片后高度;所述光学位移传感器为激光三角传感器、激光共聚焦传感器或白光共聚焦传感器。
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