[发明专利]提取双频带频率选择表面等效电路参数的方法

摘要

本发明公开了一种双频带频率选择表面等效电路参数的提取方法，主要解决现有技术依赖经验公式提取等效电路参数的局限性问题。其实现步骤是：1.将频率选择表面的散射矩阵转换为传输矩阵；2.通过传输矩阵得到等效电路的导纳矩阵和阻抗矩阵；3.用等效电路中的集总元件表示导纳矩阵和阻抗矩阵；4.采用曲线拟合的优化算法，提取出等效电路中的参数。本发明能够对任何的双频带频率选择表面的等效电路参数进行提取，并提高了双频带频率选择表面等效电路参数的精确性，可用于快速准确地分析双频带频率选择表面的特性。

主权项

1.一种双频带带通型频率选择表面等效电路参数的提取方法，包括如下步骤：(1)将双频带带通型频率选择表面的散射矩阵转换为传输矩阵其中，S11(ω)表示双频带带通型频率选择表面第1端口的反射系数，S12(ω)表示第2端口到第1端口的传输系数，S21(ω)表示第1端口到第2端口的传输系数，S22(ω)表示第2端口的反射系数；A11(ω)表示双频带带通型频率选择表面的转移电压比，A12(ω)表示转移阻抗，A21(ω)表示转移导纳，A22(ω)表示转移电流比，ω表示频率选择表面的工作角频率；(2)利用双频带带通型频率选择表面传输矩阵A(ω)，得出等效电路的导纳矩阵Y(ω)和阻抗矩阵Z(ω)：对于非对称结构的频率选择表面：其非对称等效电路的导纳矩阵Y(ω)＝A21(ω)，阻抗矩阵Z(ω)＝A12(ω)；对于对称结构的频率选择表面：其T型等效电路的导纳矩阵Y(ω)＝A21(ω)，阻抗矩阵π型等效电路的导纳矩阵阻抗矩阵Z(ω)＝A12(ω)；(3)根据双频带带通型等效电路图，用等效电路中各集总元件L1,C1,L2,C2,L3,C3,L4,C4表示双频带带通型等效电路的导纳矩阵Y1(ω)和阻抗矩阵Z1(ω)： Im [ Y 1 ( ω ) ] = ωC 3 - 1 ωL 3 + 1 ( 1 / ωC 4 ) - ωL 4 , ]]> Im [ Z 1 ( ω ) ] = ωL 1 - 1 ωC 1 + 1 ( 1 / ωL 2 ) - ωC 2 , ]]>其中，L1为等效电路中第一个电感，C1为等效电路中第一个电容，L2为等效电路中第二个电感，C2为等效电路中第二个电容，L3为等效电路中第三个电感，C3为等效电路中第三个电容，L4为等效电路中第四个电感，C4为等效电路中第四个电容，Im表示虚部；(4)利用步骤(3)中得到的等效电路的导纳矩阵Y1(ω)和阻抗矩阵Z1(ω)去逼近步骤(2)中得到的等效电路的导纳矩阵Y(ω)和阻抗矩阵Z(ω)，采用曲线拟合的优化方法，求得等效电路中集总元件L1,C1,L2,C2,L3,C3,L4,C4的值。