[发明专利]一种具有指数补偿特性的带隙基准电压源

摘要

本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有指数补偿特性的带隙基准电压源。本发明的主要技术方案，提供了一种简单高效的指数补偿方式，第一电阻的电流为PTAT电流，所以第一电阻上的压降会随着温度的升高而增加。第六、七三极管的电流随着温度的升高而增加，从而使得第二电阻的电流也随着温度的升高而增加，而且低的第二电阻的电流为第一电阻的电流和第六、七三极管的电流之和，这就等价于第二电阻的阻值随着温度的升高而增加，即通过这种补偿方式补偿了VBE的高阶项，这种补偿方式只用了两个电阻，调节阻值时比较方便，可以得到更加适合自己用途的带隙基准电压，结构简单，节约成本。

主权项

一种具有指数补偿特性的带隙基准电压源，包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；第一PMOS管M1的源极接电源，其栅极接第二PMOS管M2的栅极，其漏极接第一三极管Q1的发射极、第二三极管Q2的发射极、第三三极管Q3的发射极和第九三极管Q9的基极；第一三极管Q1的基极接第二三极管Q2的集电极和第四三极管Q4的集电极，其集电极接第一NMOS管M3的漏极；第一NMOS管M3的栅极和漏极互连，其源极接地；第二三极管Q2的基极接第三三极管Q3的基极；第三三极管Q3的基极和集电极互连，其集电极接第五三极管Q5的集电极；第五三极管Q5的基极接第四三极管Q4的基极，其发射极依次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地；第四三极管Q4的发射极通过第二电阻R2后接地；第六三极管Q6的集电极接电源，其基极和发射极互连，其发射极接第七三极管Q7的基极；第七三极管Q7的集电极接电源，其发射极通过第二电阻R2后接地；第九三极管Q9的集电极接电源，其发射极接第八三极管Q8的基极；第九三极管Q9的发射极通过第四电阻R4后接第二NMOS管M4的漏极；第二NMOS管M4的栅极和漏极互连，其源极接地；第二PMOS管M2的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接第八三极管Q8的集电极；第八三极管Q8的发射极通过第三电阻R3后接地；第四三极管Q4基极、第五三极管Q5基极、第八三极管Q8基极、第九三极管Q9发射极与第四电阻R4的连接点为基准电压源的输出端。