[发明专利]具有锥形栅极结构的半导体器件和方法

摘要

本发明涉及具有锥形栅极结构的半导体器件和方法。半导体器件包括具有与第二表面垂直地间隔开的第一表面的半导体主体。第一沟槽从第一表面垂直地延伸到半导体主体中，并包括在平行于第一表面的横向方向上跨越半导体主体延伸的第一和第二侧壁。场电极被布置在第一沟槽中，并通过场电介质与半导体主体电绝缘。第一栅电极被布置在第一沟槽中。第一栅电极通过场电介质与场电极电绝缘，并通过第一栅极氧化物与半导体主体电绝缘。第一栅电极包括在横向方向上连续地连接并邻近于彼此的加宽和锥形部分。第一栅极氧化物与在横向方向上的第一侧壁形成非垂直角。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体主体，具有第一表面；第一沟槽，在所述半导体主体中形成，所述第一沟槽包括在垂直方向上从所述第一表面延伸的第一侧壁和第二侧壁以及在第一横向方向上在所述第一侧壁和第二侧壁之间延伸的第一沟槽底部；场电介质，填充所述第一沟槽；以及第二沟槽，在所述场电介质中的所述第一沟槽内形成，包括内侧壁和外侧壁，其中所述第一沟槽的第一侧壁和第二侧壁以及所述第二沟槽的所述内侧壁和外侧壁在垂直于所述第一横向方向并垂直于所述垂直方向的第二横向方向上沿着所述半导体主体延伸，以及其中所述第二沟槽包括邻近于在所述第二横向方向上的窄部分的加宽部分，其中在所述加宽部分中，所述内侧壁和外侧壁平行于在所述第二横向方向上的所述第一侧壁延伸，且其中在所述窄部分中，所述内侧壁和外侧壁之一不垂直和不平行于在所述第二横向方向上的所述第一侧壁。