[发明专利]像素储墨槽的制备方法及应用有效
申请号: | 201510500543.4 | 申请日: | 2015-08-14 |
公开(公告)号: | CN105118932B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 李耘;宋晶尧;高卓 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00;H01L51/52;H01L27/32;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于印刷显示技术领域,提供了像素储墨槽的制备方法及应用。所述像素储墨槽的制备方法包括以下步骤提供一TFT背板,在所述TFT背板上涂覆疏液层,对所述疏液层依次进行烘烤干燥处理和亲液处理,以形成具有亲液性的疏液层;在所述疏液层上沉积像素电极材料,对所述电极材料进行固化处理得到图案化电极,使得所述疏液层围绕所述图案化电极形成具有疏液性的像素储墨槽。 | ||
搜索关键词: | 像素 储墨槽 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种像素储墨槽的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一TFT背板,在所述TFT背板上涂覆疏液层,对所述疏液层依次进行烘烤干燥处理和亲液处理,以形成具有临时亲液性的疏液层,其中,所述疏液层采用含氟无机化合物制备而成,所述亲液处理为氮气等离子处理;在所述疏液层上沉积像素电极材料,对所述电极材料进行固化处理得到图案化电极,使得未被电极覆盖区域临时亲液性消失,而所述疏液层围绕所述图案化电极形成具有疏液性的像素储墨槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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