[发明专利]像素储墨槽的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201510500543.4 申请日: 2015-08-14
公开(公告)号: CN105118932B 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 李耘;宋晶尧;高卓 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/00;H01L51/52;H01L27/32;H01L31/18
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于印刷显示技术领域,提供了像素储墨槽的制备方法及应用。所述像素储墨槽的制备方法包括以下步骤提供一TFT背板,在所述TFT背板上涂覆疏液层,对所述疏液层依次进行烘烤干燥处理和亲液处理,以形成具有亲液性的疏液层;在所述疏液层上沉积像素电极材料,对所述电极材料进行固化处理得到图案化电极,使得所述疏液层围绕所述图案化电极形成具有疏液性的像素储墨槽。
搜索关键词: 像素 储墨槽 制备 方法 应用
【主权项】:
一种像素储墨槽的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一TFT背板,在所述TFT背板上涂覆疏液层,对所述疏液层依次进行烘烤干燥处理和亲液处理,以形成具有临时亲液性的疏液层,其中,所述疏液层采用含氟无机化合物制备而成,所述亲液处理为氮气等离子处理;在所述疏液层上沉积像素电极材料,对所述电极材料进行固化处理得到图案化电极,使得未被电极覆盖区域临时亲液性消失,而所述疏液层围绕所述图案化电极形成具有疏液性的像素储墨槽。
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