[发明专利]一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法在审
| 申请号： | 201510502869.0 | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105177706A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 余林蔚;薛兆国;许明坤;李成栋 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，1)、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置；2)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时用氢气的等离子处理样品，使金属膜成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米催化颗粒；3)、在PECVD系统中覆盖一层适当厚度的非晶硅层作为前驱体介质层；4)、在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，激活的催化颗粒自发吸收周围的非晶硅，析出晶态硅，同时纳米线的生长方向发生周期性的变化，从而生长出zigzag形晶态纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 质量 柔性 单晶硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置，金属膜厚度在几个纳米到几十个纳米；2）在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃‑500℃、功率2W‑50W时用氢气的等离子处理样品，使金属膜成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米催化颗粒； 3）、在PECVD系统中覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层；4）、在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火、温度在350℃‑400℃，激活的催化颗粒自发吸收周围的非晶硅，析出晶态硅，同时纳米线的生长方向发生周期性的变化，从而生长出zigzag形晶态纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510502869.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种连续挤出式绒毛机
- 下一篇：一种阴极辊PVA抛光的工艺
