[发明专利]一种制造多孔硅材料的方法在审
| 申请号： | 201510503647.0 | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105097993A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李世彬;陈乐毅;王美娟;杨小慧;刘德涛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/028 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造多孔硅材料的方法，包括：获取N型硅衬底；在N型硅衬底上形成多孔硅层；在多孔硅层中掺入掺杂元素，形成掺杂的多孔硅层。本发明实施例中，制成的多孔硅结构对可见光以及近红外光波段有良好的吸收性能、噪声电流低，并且该方法操作简单、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 多孔 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制造多孔硅材料的方法，其特征在于，包括：获取N型硅衬底；在所述N型硅衬底上形成多孔硅层；在所述多孔硅层中掺入杂质元素，形成掺杂的多孔硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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