[发明专利]一种硅基氮化物紫外LED外延结构及其实现方法

摘要

本发明提供了一种硅基氮化物紫外LED外延结构及其实现方法，LED外延结构从由下往上依次为：硅衬底层、应力控制层、n型电流扩展层、有源区准备层、有源区发光层、电子阻挡层、p型电流扩展层以及p型欧姆接触层；其中，应力控制层由至少一层AlxGa1‑xN层构成，0≦x≦1；n型电流扩展层为硅掺杂的n型AlyGa1‑yN层，0≦y≦1；n型电流扩展层中的Al组分小于或等于应力控制层中各AlxGa1‑xN层中Al组分的平均值，其在硅衬底上利用AlxGa1‑xN应力控制层调控应力，使n型AlyGa1‑yN(0≦y≦x≦1)电流扩展层在生长过程中受到压应力，不容易产生裂纹，具有很高的外延良率。

主权项

一种硅基氮化物紫外LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从由下往上依次为：硅衬底层、应力控制层、n型电流扩展层、有源区准备层、有源区发光层、电子阻挡层、p型电流扩展层以及p型欧姆接触层；其中，所述应力控制层由至少一层Al_xGa_1‑xN层构成，0≦x≦1；所述n型电流扩展层为硅掺杂的n型Al_yGa_1‑yN层，0≦y≦1；所述n型电流扩展层中的Al组分小于或等于应力控制层中各Al_xGa_1‑xN层中Al组分的平均值。