[发明专利]一种电阻型存储单元的制备方法有效
| 申请号： | 201510503866.9 | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105185903B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘汇慧;李同伟;崔红玲;毛爱霞;王会娴 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120 | 代理人： | 罗民健 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种电阻型存储单元的制备方法，涉及非易失性存储器件技术领域，首先，在基板上用导电材料形成下电极层，在下电极层上沉积或旋涂一层绝缘介质层，通过光刻工艺在绝缘介质层上形成沟槽，沟槽的槽底通至下电极层；然后，在沟槽内形成电阻型存储单元的功能层，该功能层为上、下两层的叠层结构，其由非晶态的SnOx层和氮氧化物MnOxNy层叠层构成，非晶态的SnOx中x的取值范围为0<x<2，氮氧化物MnOxNy中的x和y的取值范围分别为1<x<2，0.001<y<2；最后，在功能层上用导电材料形成上电极层，利用平坦化工艺使上电极层与绝缘介质层的表面平齐，即可。本发明制备的电阻型存储单元能够稳定地实现多值存储，能够提高存储单元的存储密度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型存储单元的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）、在基板上用导电材料形成下电极层；（2）、在下电极层上沉积或旋涂一层绝缘介质层，然后通过光刻工艺在绝缘介质层上形成沟槽，沟槽的槽底通至下电极层；（3）、利用磁控溅射或者原子层沉积的方法在沟槽内形成所述电阻型存储单元的功能层，该功能层为上、下两层的叠层结构，其由非晶态的SnOx层和氮氧化物MnOxNy层叠层构成，其中，非晶态的SnOx中x的取值范围为0<x<2，氮氧化物MnOxNy中的x和y的取值范围分别为1<x<2，0.001<y<2；（4）、在功能层上用导电材料形成上电极层，利用平坦化工艺使上电极层与绝缘介质层的表面平齐，即可。
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