[发明专利]一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510504418.0 | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105115599A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李伟;盛浩;钟豪;卢满辉;郭国辉;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 杨保刚;徐金琼 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述四象限光电探测器的每个象限的Si-PIN光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底正面中央上方的P型区4、位于硅本征衬底正面中央上方四周的环形P+区3、位于硅本征衬底下方的N型MEMS微结构硅层区2、位于P型区和P+区上表面两侧的上电极5，以及位于N型MEMS微结构硅层区下表面的下电极6。每个单元探测器件通过隔离槽隔开，可以有效减小象限间的信号串扰。本发明比传统Si-PIN四象限光电探测器具有响应度高、响应波段范围宽、象限间信噪比大等特点，可拓展Si-PIN四象限光电探测器的功能和使用范围，满足大规模市场化应用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 微结构 si pin 象限 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于MEMS微结构硅的Si‑PIN四象限光电探测器，包括位于直角坐标中不同象限区的4个性能相同的单元光电探测器，其特征在于：单元光电探测器包括从下至上依次设置的下电极（6）、N型MEMS微结构硅层（2）、硅本征衬底（1），硅本征衬底（1）上设置有P型区（4），和环形P+区（3），还包括设置在P型区（4）和P+区（3）上表面的上电极（5）。
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