[发明专利]具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构及其制法

摘要

本发明公开具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构及其制法。发光二极管外延结构包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型AlGaN导电层。P型导电层为含铝的AlGaN材料，且AlGaN层中的Al组分沿生长方向线性递增。本发明的P型AlGaN导电层可以避免在P型AlGaN电子阻挡层和P型GaN导电层引起的阻挡空穴注入多量子阱有源区的势垒，P型AlGaN导电层中的Al组分沿生长方向线性递增，可以减少极化电荷密度，降低量子阱的极化电场强度，减少能带弯曲，增强P型AlGaN导电层对电子溢出阻挡效果，并减弱对空穴注入的阻挡。

主权项

一种具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构，其从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型导电层，其特征是所述P型导电层为含铝的AlGaN材料即P型AlGaN导电层，且P型AlGaN导电层中的Al组分沿生长方向线性递增。