[发明专利]增强光电性能Zr元素掺杂AZO靶材在审
| 申请号： | 201510504700.9 | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105063559A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 贾泽夏;庄志杰 | 申请（专利权）人： | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/622;C04B35/453 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 郭春远 |
| 地址： | 215214 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | Zr元素掺杂AZO靶材,采用粉末冶金法工艺方法，将原料粉ZrO2粉与AZO粉混合，使掺杂的ZrO2含量为0.5％，然后对原料粉体进行球磨处理，得到粒度细而均匀的类球形颗粒；将处理过的粉末进行装模；装模后进行冷等静压，压力范围100MPa～200MPa，而后进行烧制，烧制温度范围为1200℃～1500℃；目的是优化晶体结构和表面形貌，增强AZO薄膜的光电特性，提高薄膜的稳定性。从而完善薄膜性能、降低反应温度、提高控制精度、降低制备成本和适应大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 光电 性能 zr 元素 掺杂 azo 靶材 | ||
【主权项】：
增强光电性能Zr元素掺杂AZO靶材,其特征在于使用粉末冶金工艺，制取细小金属或合金粉末，晶粒细小均匀、凝固速度极快，保证了材料的组织均匀，性能稳定，以及良好的冷、热加工性能，且粉末颗粒不受合金元素和含量的限制，可提高强化相含量，从而发展新的材料体系。靶材制造工艺包括以下步骤：1)将原料粉ZrO2粉与AZO粉混合，掺杂的ZrO2含量为0.5％，然后对原料粉体进行球磨处理，得到粒度细而均匀的类球形颗粒；2)将处理过的粉末进行装模；3)装模后进行冷等静压，压力范围100MPa～200MPa，而后进行烧制，烧制温度范围为1200℃～1500℃；4)烧制后得到半成品，静置冷却后对半成品进行机械加工，确保内外曲面光滑平整，最终得到Zr元素掺杂AZO的旋转靶材成品。
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