[发明专利]一种利用内容寻址MRAM存储装置和方法有效
申请号: | 201510504723.X | 申请日: | 2015-08-17 |
公开(公告)号: | CN105608021B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 戴瑾 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | G06F12/0871 | 分类号: | G06F12/0871;G06F3/06 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种利用内容寻址MRAM存储装置和方法,存储装置包括设有主机接口的主控芯片和NAND芯片,所述NAND芯片和主控芯片相互连接,所述主控芯片还与MRAM芯片相连,所述MRAM芯片中至少一部分是具有内容寻址功能的MRAM;所述MRAM芯片用于写缓存或读写缓存;所述具有内容寻址功能的MRAM中储存一个缓存表,所述缓存表记录每一个缓存页的对应NAND页的地址和必要信息。在发生写NAND操作时,MRAM芯片把最近一段时间经常发生写入操作的NAND页留在缓存里而不写回到NAND芯片;在发生读写NAND操作时,利用具有内容寻址的MRAM,在缓存表中搜索NAND页地址。本发明能够提高缓存速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 内容 寻址 mram 存储 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用内容寻址MRAM存储装置,包括设有主机接口的主控芯片和NAND芯片,所述NAND芯片和主控芯片相互连接,所述主控芯片还与MRAM芯片相连,其特征在于,所述MRAM芯片中至少一部分是具有内容寻址功能的MRAM;所述MRAM芯片用于写缓存或读写缓存;所述具有内容寻址功能的MRAM中储存一个缓存表,所述缓存表记录每一个缓存页的对应NAND页的地址和写计数,所述具有内容寻址功能的MRAM包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列,每个阵列与控制电路连接,控制电路包括行地址解码器、读写控制器、输入输出控制、比较器及搜索控制器,比较器用于比较从阵列中读出的内容与搜索字,搜索控制器用于控制内容寻址操作,当搜索控制器收到搜索指令后,驱动行地址解码器,逐次打开搜索区域的地址,读写控制器读出内容,比较器比较内容与搜索字,如果相符,输出地址。
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