[发明专利]具有电流扩展层的发光二极管芯片

摘要

本发明提出带有半导体层序列(5)的发光二极管芯片，所述半导体层序列具有磷化物化合物半导体材料，其中所述半导体层序列(5)包括p型半导体区域(2)、n型半导体区域(4)和设置在所述p型半导体区域(2)和所述n型半导体(4)之间的用于发射电磁辐射的有源层(3)。所述n型半导体区域(4)是面向发光二极管芯片的辐射出射面(6)的，并且所述p型半导体区域(2)是面向发光二极管芯片的支承件(7)的。在所述支承件(7)和所述p型半导体区域(2)之间设置有小于500nm厚的电流扩展层(1)，所述电流扩展层具有一个或多个p掺杂的AlxGa1‑xAs层，其中0.5<x≤1。

主权项

带有半导体层序列(5)的发光二极管芯片，所述半导体层序列具有磷化物化合物半导体材料，其中所述半导体层序列(5)包括‑p型半导体区域(2)，‑n型半导体区域(4)，以及‑用于发射电磁辐射的有源层(3)，所述有源层设置在所述p型半导体区域(2)和所述n型半导体区域(4)之间，其中所述n型半导体区域(4)面向所述发光二极管芯片的辐射出射面(6)，并且所述p型半导体区域(2)面向所述发光二极管芯片的支承件(7)，其特征在于，在所述支承件和所述p型半导体区域(2)之间设有小于500nm厚的电流扩展层(1)，所述电流扩展层(1)具有一个或多个p掺杂的AlxGa1‑xAs层，其中0.5<x≤1，其中由InxGayAl1‑x‑yAs制成的至少一个层邻接于所述电流扩展层(1)，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，由InxGayAl1‑x‑yAs制成的至少一个层与所述电流扩展层(1)相比具有更小的带隙和更低的掺杂浓度。