[发明专利]等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法

摘要

本发明公开了一种等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法，即提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

主权项

1.一种利用等离子体增强的化学气相沉积（PECVD）形成涂层的方法，包括：a）提供包括相邻设置并且通过空间分离的第一空心阴极和第二空心阴极的等离子体源；b）通过等离子体源在基本上没有霍尔电流的情况下产生线性的且在其长度上基本均匀的等离子体；c）提供基板，基板的待涂布的至少一个表面靠近等离子体；d）使前驱气体流动通过所述空间；e）激励、部分地分解或完全分解前驱气体；以及f）利用PECVD在基板的至少一个表面上沉积涂层；其中，沉积的步骤包括粘结或凝结包含用于涂布在基板的至少一个表面上的期望的化学元素的前驱气体的化学片断。