[发明专利]等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法

摘要

本发明公开了一种等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法，即提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

主权项

1.一种包括基板和沉积在基板上的涂层的产品，其中利用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)方法形成涂层，该方法包括以下步骤：a)在基本上没有霍尔电流的情况下提供线性的在其长度上基本均匀的等离子体；b)靠近等离子体提供前驱气体和反应气体；c)提供基板，其中待涂布的基板的至少一个表面靠近等离子体；d)激励、部分地分解或完全分解前驱气体；以及e)利用PECVD在基板的至少一个表面上沉积涂层；其中，沉积的步骤包括粘结或凝结包含用于涂布在基板的至少一个表面上的期望的化学元素的前驱气体的化学片断。