[发明专利]GaAsHBT器件

摘要

本发明提供了一种GaAs HBT器件。该GaAs HBT器件包括衬底、N型GaAs集电区、P型GaAs基区、N型InGaP发射区、N型InGaAs帽层、介质层和TaN薄膜。N型集电区形成在衬底上，其表面划分为电极区域和非电极区域，所有区域形成有由下自上依次层叠的P型基区、N型发射区和N型帽层；在电极区域，P型基区两侧的N型集电区上形成有两个集电极金属电极，N型发射区两侧的P型基区上形成有两个基极金属电极，N型帽层上形成有发射极金属电极；在电极区域一侧的非电极区域，N型帽层上沉积有介质层，TaN薄膜沉积在介质层上。本发明能够集成信号传感和信号放大两个功能，从而有效减小传感器系统体积。

主权项

一种GaAs HBT器件，其特征在于，包括衬底、N型GaAs集电区、P型GaAs基区、N型InGaP发射区、N型InGaAs帽层、介质层和TaN薄膜，所述N型GaAs集电区形成在所述衬底上，并且所述N型GaAs集电区的表面划分为电极区域和位于所述电极区域两侧的非电极区域，所述电极区域和所述非电极区域均形成有由下自上依次层叠的所述P型GaAs基区、N型InGaP发射区和N型InGaAs帽层；其中，在所述电极区域，所述P型GaAs基区两侧的N型GaAs集电区上形成有第一集电极金属电极和第二集电极金属电极，所述N型InGaP发射区两侧的P型GaAs基区上形成有第一基极金属电极和第二基极金属电极，所述N型InGaAs帽层上形成有发射极金属电极；在所述电极区域一侧的非电极区域，所述N型InGaAs帽层上沉积有所述介质层，所述TaN薄膜沉积在所述介质层上；将作为传感器的TaN 薄膜集成在HBT器件上，能够集成信号传感和信号放大两个功能，从而有效减小传感器系统体积；TaN薄膜的电阻率通过改变沉积温度来进行调节，从而在不影响原有空气动力学、流体力学设计的基础上，实时监控压变数据。