[发明专利]存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510506260.0 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106469725B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张维哲;田中义典;田中勳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/10;H01L21/8242;H01L21/8229;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储元件及其制造方法，该存储元件包括：衬底、多个堆叠结构、多个接触结构、多个间隙壁结构以及多个介电层。堆叠结构位于衬底上。接触结构分别位于堆叠结构之间的衬底上。间隙壁结构分别位于堆叠结构的两侧壁。各间隙壁结构具有空气间隙。介电层分别位于堆叠结构上。各介电层覆盖各间隙壁结构的空气间隙的顶面。该存储元件可降低位线与电容接触窗之间的电容值，进而提升产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其特征在于，包括：多个堆叠结构，位于衬底上；多个接触结构，分别位于所述多个堆叠结构之间的所述衬底上；多个间隙壁结构，分别位于所述多个堆叠结构的两侧壁，其中各所述多个间隙壁结构具有空气间隙；以及多个介电层，分别位于所述多个堆叠结构上，各所述多个介电层覆盖各所述多个间隙壁结构的所述空气间隙的顶面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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