[发明专利]超高压LDMOS器件结构

摘要

本发明公开了一种超高压LDMOS器件结构，形成于P型衬底中，所述P型衬底中具有一N型深阱，N型深阱中还有一P型层；P型层覆盖场氧化层，场氧化层两侧分别为超高压LDMOS器件的漏区及源区，源区为非闭环结构且所述源区位于P型体区中；场氧与源区之间的衬底表面覆盖栅氧化层及多晶硅栅极；漏区与场氧化层之间的衬底表面覆盖多晶硅场板，形成漏极场板，且漏极场板覆盖靠近漏区的部分场氧化层；所述超高压LDMOS器件是圆形，圆心位置为漏区；所述的场氧化层、P型层、P型体区及源区是呈包围漏区的圆环状；漏区通过接触孔引出经金属走线从圆心向器件外引出，金属走线下方的源区掺杂类型变更为P型，场氧化层上方还具有第二多晶硅场板。 1

主权项

1.一种超高压LDMOS器件结构,形成于P型衬底中，所述P型衬底中具有一N型深阱，N型深阱中还有一P型层；一场氧化层位于所述P型层上并完全覆盖P型层，所述场氧化层两侧分别为超高压LDMOS器件的源区及漏区，且所述源区是位于P型体区中；场氧化层与源区之间的衬底表面覆盖栅氧化层及多晶硅栅极，且多晶硅栅极覆盖靠近源区的部分场氧化层,形成栅极场板；漏区与场氧化层之间的衬底表面覆盖多晶硅场板，形成漏极场板，且漏极场板覆盖靠近漏区的部分场氧化层；所述的超高压LDMOS器件在俯视平面是呈圆形，所述漏区位于圆心位置；所述的场氧化层、P型层、P型体区及源区是呈包围漏区的圆环状；所述漏区通过接触孔，接金属走线从圆心向器件外侧引出；其特征在于：所述的源区是呈C型的非闭环的重掺杂N型区，其位于漏区引出的金属走线正下方的源区，即C型开口的位置，其掺杂类型变更为重掺杂的P型；场氧化层上方还具有第二多晶硅场板。