[发明专利]一种室温可编程磁逻辑器件有效
| 申请号： | 201510507332.3 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105206742B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;陈娇娇;罗昭初;熊成悦;郭振刚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L25/03 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于磁电子器件技术领域，尤其涉及一种室温可编程磁逻辑器件，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元；两个或多个半导体单元通过并联或串并联组合的方式连接；所述半导体单元在正负磁场下得到的伏安特性曲线是非对称的，其半导体材料为产生可逆的电学击穿行为的半导体材料，包括硅、锗、砷化镓，其结构是多层薄膜结构或是块体结构；该逻辑器件价格低廉、制备工艺简单，具有电压控制的可重构性质、瞬时启动、低成本、低能耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 可编程 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元；两个或多个半导体单元通过并联或串并联组合的方式连接；所述半导体材料为产生可逆的电学击穿行为的半导体材料；所述粗糙度不同指其中一个表面的粗糙度为纳米级，另一个表面的粗糙度为微米级。
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