[发明专利]基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法有效
| 申请号： | 201510508133.4 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105047779B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 郝跃;任泽阳;许晟瑞;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是1)将Si衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～3×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～3×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作c面GaN黄光发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 si 衬底 上黄光 led 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于Si衬底的黄光LED结构，自上而下分别为p型GaN层，有源层，成核层和Si衬底，其特征在于有源区使用C掺杂和Si掺杂的n型GaN层，以在GaN中引入C的深能级，为发黄光的电子、空穴提供复合平台。
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