[发明专利]一种铜铟镓硒硫薄膜的硒化硫化装置及方法有效

专利信息
申请号: 201510508328.9 申请日: 2015-08-18
公开(公告)号: CN105200388B 公开(公告)日: 2018-02-27
发明(设计)人: 洪瑞江;吴兆 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C23C14/58 分类号: C23C14/58
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 代理人: 曹爱红
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种于铜铟镓硒硫薄膜的硒化硫化装置,包括石英管、设置在石英管内的反应单元、设置在所述石英管外的加热结构、用于密封所述石英管的管口密封部;所述石英管上设置有与真空泵组连接的连接组件;所述反应单元包括坩埚,所述坩埚上设置有容纳腔、用于密封所述坩埚的密封结构;所述坩埚包括底壁和与底壁形成上方设有开口的容纳腔的侧壁;所述坩埚上设置有用于将所述容纳腔分隔成若干反应腔的分隔壁,所述分隔壁上设置有若干连接相邻反应腔的连通槽,所述连通槽设置在所述底壁的上方。本发明结构简单,操作方便,安全性高,密封性好,蒸汽压稳定,反应均匀,保证了处理后薄膜表面的粗糙度,提升产品质量。
搜索关键词: 一种 铜铟镓硒 薄膜 硫化 装置 方法
【主权项】:
一种铜铟镓硒硫薄膜的硒化硫化装置,其特征在于:包括石英管、设置在石英管内的反应单元、设置在所述石英管外的加热结构、用于密封所述石英管的管口密封部;所述石英管上设置有与真空泵组连接的连接组件;所述反应单元包括坩埚,所述坩埚上设置有用于放置待处理的铜铟镓硒硫(CIGSS)薄膜以及固态源的容纳腔、用于密封所述坩埚的密封结构;所述坩埚包括底壁和与底壁形成上方设有开口的容纳腔的侧壁;所述坩埚上设置有用于将所述容纳腔分隔成若干反应腔的分隔壁,所述分隔壁上设置有若干连接相邻反应腔的连通槽,所述连通槽设置在所述底壁的上方。
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