[发明专利]非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法有效
| 申请号： | 201510508722.2 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105070801B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;郝跃;任泽阳;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非Si掺杂无InGaN光LED材料及其制作方法。其生长步骤是1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，O掺杂浓度为2×1017cm‑3～2×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作非极性a面GaN黄光发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | si 掺杂 ingan led 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种非Si掺杂无InGaN光LED材料，自上而下分别为p型GaN层，有源层，成核层和r面蓝宝石衬底，其特征在于：有源区使用C掺杂和O掺杂的n型GaN层，以在GaN中引入C的深能级，为发黄光的电子、空穴提供复合平台。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510508722.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
