[发明专利]边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510508859.8 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN105186286B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | A.莱尔;C.内尔茨;C.鲁姆博尔茨;S.哈陶尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠的半导体层（2d），半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且平面化层布置在所述沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 发射 半导体 激光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
边缘发射的半导体激光二极管（1），具有－具有基体（2a）和π形截面波导（2b）的外延半导体层堆叠（2），其中所述基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c），和－平面化层（3），其中该平面化层（3）嵌入到所述π形截面波导（2b）中，使得所述π形截面波导（2b）的表面（21）和所述平面化层（3）的表面（22）构成平坦的主面（4），其中在所述平面化层（3）和所述半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠（2）的半导体层（2d），所述半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且其中所述平面化层（3）布置在所述沟槽中。
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