[发明专利]一种Cu‑Ti非晶合金薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510509138.9 申请日: 2015-08-18
公开(公告)号: CN105002467B 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 张博;朱振西;杨宇 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/26;C23C14/14;C22C45/00
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 代理人: 何梅生,卢敏
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种Cu‑Ti非晶合金薄膜及其制备方法,其特征在于非晶合金薄膜的结构式为CuxTi100‑x(54≤x≤66),其中x为Cu元素的原子百分数;与通常的制备工艺不同的是,该非晶合金薄膜通过电子束+电阻蒸发复合镀膜的技术,在制备过程中,金属Ti和金属Cu分别采用电子束和电阻蒸发源蒸镀,衬底基板不需要加冷却装置,简化了制备工艺,降低了生产成本。本发明制备的非晶薄膜,非晶结构明显,可以通过调节蒸镀电流和蒸镀时间,控制非晶薄膜的成分和尺寸。
搜索关键词: 一种 cu ti 合金 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种Cu‑Ti非晶合金薄膜的制备方法,所述Cu‑Ti非晶合金薄膜的结构式为CuxTi100‑x,54≤x≤66,其中x为Cu元素的原子百分数,其特征在于包括以下步骤:(1)切取Cu块和Ti块,将Cu块和Ti块表面打磨,用丙酮和酒精依次清洗各10min,吹干待用;(2)使用电子束蒸发与电阻蒸发复合镀膜系统,将Ti块和Cu块作为靶材分别放置在电子束蒸发用铜坩埚和电阻蒸发用钨舟中,将衬底放置在位于铜坩埚上方的衬底托盘上;(3)抽真空至1×10‑4Pa以下,调节电子束束流值在150~160mA,调节电阻蒸发电流为115~135A,使Ti和Cu同时蒸发并沉积在衬底上,控制沉积时间为1~4h,即得沉积有Cu‑Ti非晶合金薄膜的衬底;通过在150~160mA范围内调整电子束束流值和在115~135A范围内调整电阻蒸发电流获得不同成分的Cu‑Ti非晶合金薄膜;通过在1~4h范围内调整沉积时间获得不同厚度的Cu‑Ti非晶合金薄膜。
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