[发明专利]具有共平面的凹陷型栅极层的半导体结构及其制造方法

摘要

本申请提供一种具有共平面的凹陷型栅极层的半导体结构及其制造方法，其包括，例如，在半导体衬底上提供栅极结构，该栅极结构包括多个共形栅极层和设置在该多个共形栅极层内的栅极材料；凹入该多个共形栅极层的一部分至该栅极结构的上表面的下方，其中凹陷的多个共形栅极层的上表面为共平面；以及去除该栅极材料的一部分以利于该栅极材料的剩余部分的上表面与该凹陷的多个共形栅极层的上表面共平面。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，该方法包括:提供栅极结构覆于半导体结构上，其中该栅极结构包括多个共形栅极层和设置在该多个共形栅极层内的栅极材料，且该多个共形栅极层包括共形地设置在该栅极结构内的栅极介电层，以及共形地设置在该栅极介电层上方的功函数层；凹入该多个共形栅极层的一部分至该栅极结构的上表面下方，其中凹陷的该多个共形栅极层的上表面为共平面，而该凹入包括在凹入该栅极介电层之前，从该栅极结构内凹入该功函数层的一部分，其中该凹入包括进行第一凹入工艺，和进行第二凹入工艺，该第一凹入工艺是在该功函数层上进行，以及该第二凹入工艺是在该栅极介电层上进行；以及去除该栅极材料的一部分以利于该栅极材料的剩余部分的上表面与该凹陷的多个共形栅极层的上表面共平面。