[发明专利]具有共平面的凹陷型栅极层的半导体结构及其制造方法有效
申请号: | 201510509364.7 | 申请日: | 2015-08-18 |
公开(公告)号: | CN105374670B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | K·特雷维诺;刘源鸿;G·P·威尔斯;张兴;翁孔成;C·H·孟;T·韩;G·卡玛斯;I·欧瑞;G·乌帕德亚雅 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司;拉姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/423 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种具有共平面的凹陷型栅极层的半导体结构及其制造方法,其包括,例如,在半导体衬底上提供栅极结构,该栅极结构包括多个共形栅极层和设置在该多个共形栅极层内的栅极材料;凹入该多个共形栅极层的一部分至该栅极结构的上表面的下方,其中凹陷的多个共形栅极层的上表面为共平面;以及去除该栅极材料的一部分以利于该栅极材料的剩余部分的上表面与该凹陷的多个共形栅极层的上表面共平面。 | ||
搜索关键词: | 具有 平面 凹陷 栅极 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体结构的方法,该方法包括:提供栅极结构覆于半导体结构上,其中该栅极结构包括多个共形栅极层和设置在该多个共形栅极层内的栅极材料,且该多个共形栅极层包括共形地设置在该栅极结构内的栅极介电层,以及共形地设置在该栅极介电层上方的功函数层;凹入该多个共形栅极层的一部分至该栅极结构的上表面下方,其中凹陷的该多个共形栅极层的上表面为共平面,而该凹入包括在凹入该栅极介电层之前,从该栅极结构内凹入该功函数层的一部分,其中该凹入包括进行第一凹入工艺,和进行第二凹入工艺,该第一凹入工艺是在该功函数层上进行,以及该第二凹入工艺是在该栅极介电层上进行;以及去除该栅极材料的一部分以利于该栅极材料的剩余部分的上表面与该凹陷的多个共形栅极层的上表面共平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司;拉姆研究公司,未经格罗方德半导体公司;拉姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510509364.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造