[发明专利]有机电致发光元件有效
申请号: | 201510509720.5 | 申请日: | 2015-08-19 |
公开(公告)号: | CN105390617B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 广泽昇太 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种有机电致发光元件,其即使在高温高湿条件下长期保存时也可以抑制暗斑的产生,具有高的保存性,且发光效率及发光均匀性提高。一种有机电致发光元件,其特征在于,其在挠性基材上至少依次层叠有第1气体阻挡层、绝缘层、第1电极、具有有机功能层的发光单元及第2电极,所述第1气体阻挡层为聚硅氮烷改性层,所述绝缘层为含有金属氧化物的层,且所述金属氧化物的金属元素的氧化还原电位比硅的氧化还原电位低。 | ||
搜索关键词: | 有机电致发光元件 绝缘层 氧化还原电位 金属氧化物 气体阻挡层 电极 高温高湿条件 发光均匀性 有机功能层 长期保存 发光单元 发光效率 金属元素 聚硅氮烷 挠性基材 依次层叠 保存性 改性层 暗斑 | ||
【主权项】:
1.一种有机电致发光元件,其特征在于,其在挠性基材上至少依次层叠有第1气体阻挡层、绝缘层、第1电极、具有有机功能层的发光单元及第2电极,所述第1气体阻挡层为聚硅氮烷改性层,所述绝缘层为含有氧化铌的层,所述第1气体阻挡层与所述绝缘层直接相接,所述绝缘层含有相对于所述绝缘层的总质量的50质量%以上的氧化铌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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