[发明专利]低本振功率谐波混频器有效
| 申请号： | 201510510500.4 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105071776B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 代秀;朱伟峰;韦柳泰;徐从玉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H03D7/16 | 分类号： | H03D7/16 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司11340 | 代理人： | 陈永宁 |
| 地址： | 266000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种低本振功率谐波混频器，其包括混频二极管直流偏置电路以及低损耗本振中频双工器；其中，所述混频二极管直流偏置电路包括两只二极管结组成的二极管对(2)、呈对称结构的2个低损耗薄膜电容(6)，由对称结构的2个去耦电容(3)、2个平板电容(4)和2个高容值宽带电容(5)组成的直流去耦滤波电路以及直流电阻偏置网络(11)；所述低损耗本振中频双工器包括顺次连接的本振匹配滤波器(10)、本振输入波导(8)至悬置带线波导探针过渡电路(9)、以及中频低通滤波器(7)；本发明可在低本振功率条件下实现低变频损耗和噪声系数性能，解决了现有方案技术指标和本振倍频链路制作难度和成本的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 谐波 混频器 | ||
【主权项】：
一种低本振功率谐波混频器，其特征在于，包括混频二极管直流偏置电路以及低损耗本振中频双工器；其中，所述混频二极管直流偏置电路包括：两只二极管结组成的二极管对(2)、呈对称结构的2个低损耗薄膜电容(6)，由对称结构的2个去耦电容(3)、2个平板电容(4)和2个高容值宽带电容(5)组成的直流去耦滤波电路以及直流电阻偏置网络(11)；所述电容(6)、(3)、(4)、(5)之间使用金线互联；所述二极管对(2)位于射频输入波导(1)口内；所述二极管对(2)中间焊盘安装在本振上输入端带线上，两侧焊盘分别安装在所述2个低损耗薄膜电容(6)下电极上，并与所述2个去耦电容(3)使用金线互联；低损耗薄膜电容(6)上电极与所述射频输入波导(1)上腔体连接；电阻直流偏置网络(11)分别与两个高容值宽带电容(5)互联；所述低损耗本振中频双工器包括顺次连接的本振匹配滤波器(10)、本振输入波导(8)至悬置带线波导探针过渡电路(9)、以及中频低通滤波器(7)。
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