[发明专利]基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510510551.7 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105098017B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;郝跃;任泽阳;张进成;李培咸;姜腾;蒋仁渊;牛牧童 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～5×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～4×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5‑200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作N面GaN黄光发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 蓝宝石 衬底 面黄光 led 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED结构，自上而下分别为p型GaN层，AlGaN阻挡层，有源层，成核层和c面蓝宝石衬底，其特征在于有源区使用C掺杂和Si掺杂的n型N面GaN层，以在GaN中引入C的深能级，为发黄光的电子、空穴提供复合平台。
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